İçindəki
Elmlər doktorları
Nəcəfov Bəxtiyar Ağaqulu oğlu
Anadan olduğu yer: Erm.SSR, Sisian r-nu, Ağudi k.
Təvəllüdü: 06.06.1960
Təhsili: Azərbaycan (Bakı) Dövlət Universiteti
Elmi dərəcəsi: Fizika elmləri doktoru
Elmi rütbəsi: Dosent
Namizədlik dissertasiyasının ixtisas şifri, ixtisasın adı və mövzusu:
- ixtisas şifri: 01.04.10
- ixtisasın adı: Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası
- mövzunun adı: Ge-Si bərk məhlulların (Ge1-xSiix:H) elektrofiziki və optik xassələri
Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2211.01
- ixtisasın adı: Bərk cisim fizikas
- mövzunun adı: Silisium-germanium əsasında hidrogenləşmiş nazik təbəqələrdə elektron, optik proseslər və onların tətbiq perspektivləri
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı: 105
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 71
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan - məqalələrin sayı: 24
Əsas elmi nailiyyətləri:
- Aşağı temperaturlarda sıçrama mexanizmi öyrənilmişdir.
- Sıçrama enerjisi, sıçrama məsafəsi, lokallaşmış halda dalğa funksiyası və hal sıxlığı silisium birləşmələri üçün müəyyən edilmlşdir.
- Silisium birləşmələrində hydrogen atomunun konsentrasiyası müəyyən etmək üçün düstur verilmlşdir.
- Çox qatlı günəş elementlərinin hazırlanması üçün struktur verilmişdir.
Elmi əsərlərinin adları:
1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si0,90Ge0,10:Hx. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.
2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Si0,10:Hх. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385.
3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224.
4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge0,85Si0,15:H. // Прикладная физика, 2004, № 4, с. 107-114.
5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Sii-хGex:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144.
6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si0,80Ge0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102.
7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si0,80Ge0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.
8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Si0,60Ge0,40:Hx // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791.
9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-xGex:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.
10. Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si0,80Ge0,10:Hx // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38.
11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si1-хGeх:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55.
12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23.
13. Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Sii-xGex:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718.
14. Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367.
15. Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si1-xCx:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630.
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:
Rusiya Təbiyyətşünaslıq Akademiyasının Müxbir Üzvi
Təltif və mükafatları:
1. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Rusiyanın Qızıl kafedrası” Diplomu
2. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Labore Et Scientia – Bilik və Əməklə” Ordeni
3. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Primus Inter Pares – Bərabər olanların arasında Birinci” Ordeni
4. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Elm və Təhsil əməkdar xadimi”
İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., B.Vahabzadə küç., 9
Vəzifəsi: Baş elmi işçi
Xidməti tel.: (+994 12) 5383224
Mobil tel.: (+994 50) 3998966
Ev tel.: (+994 12) 4771866
Elektron poçtu: bnajafov@rambler.ru