İçindəki
Struktur
"Nizamsız bərk cisimlərin radiasiya fizikası" laboratoriyası
Tel.: (99412) 5393391
Faks: (99412) 5398318
Elektron poçt: oktaysamedov9@gmail.com
Struktur bölmənin rəhbəri: AMEA-nın müxbir üzvü, f.-r.e.d., prof. Səmədov Oqtay Əbil oğlu
İşçilərin ümumi sayı: 15
Struktur bölmənin əsas fəaliyyət istiqamətləri:
TlInS2 və TlGaSe2 kimi kristalların və bərk məhlulların dielektrik və elektrik relaksasiyası, impedans spektri və faza keçidlərinə ionlaşdırıcı radiasiyanın təsirinin tədqiqi.
Struktur bölmənin əsas elmi nəticələri:
1. Müəyyən olunmuşdur ki, TlGaSe2 kristalında 300 K-dən yuxarı temperaturlarda (paraelektrik fazada) dielektrik nüfuzluğunun və itki bucağının tangensinin temperaturdan asılılıqlarında anomaliyalar mövcuddur. (T = 415 K və T = 532 K)
2. TlGaSe2 kristalının (Z٭(f)) kompleks impedans və kompleks dielektrik spektri 100−550 K temperatur və 102−106 Hs tezlik intervalında tədqiq olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, 415 K ÷ 532 K temperatur intervalında TlGaSe2 kristalı ion keçiriciliyinə malik olur. Ekvivalent sxem əvəzləmələri üsulundan istifadə etməklə (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramları analiz olunmuşdur və tezlik oblastının sərhəddi hər bir temperatur üçün təyin olunmuşdur.
3. Müəyyən olunmuşdur ki, 20 Mrad dozada γ-kvantlarla şüalanmış TlGaSe2 kristalının (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramlarında yüksək tezlikli oblastının sərhəddi tezliyin azalması istiqamətinə doğru sürüşür və (Z″−Z′) kompleks müstəvi diaqramlarında iki qadoqramma müşahidə olunur. Həm şüalanmış həmdə şüalanmamış TlGaSe2 kristalında keçiriciliyin mexanizmi təyin olunmuşdur (elektron və yuxarı temperaturlarda isə ion). Polyarizasiyanın tipi: elektron və ion–relaksasiya polyarizasiyasıdır.