Elmlər doktorları

Anadan olduğu yer: Azərbaycan Respublikası, Şəki şəhəri

Təvəllüdü: 14.06.1950

Təhsili: Bakı Dövlət Universiteti, Fizika Fakultəsi

Elmi dərəcəsi: Biologiya elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Professor

Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

• ixtisas şifri:0001
• ixtisasın adı: Radiasiya biologiyası
• mövzunun adı: Bitkilərdə radiasiya effektinin formalaşmasında qəbul edilmiş dozanın yığılması üsulu

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:

• ixtisas şifri:0001
• ixtisasın adı: Radiasiya biologiyası
• mövzunun adı: Bitkilərin istilik neytronları ilə şüalanmasının təsirlərinin udulmuş dozanın formalaşdırılması üsulu ilə modifikasiyası

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı: 370

• xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 210
• beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 200

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı: 6

Kadr hazırlığı:

• fəlsəfə doktorlarının sayı: 4

Əsas elmi nailiyyətləri:

İlk dəfə olaraq istilik neytronlarının bioloji obyektlərə təsiri zamanı müxtəlif növ (n,γ) və (n,α) nüvə reaksiyalarının böyük en kəsik sahələrinə malik elementlərin hüceyrələrin zədələnməsində modifikator kimi istifadəsinə dair qabaqcıl işlərini qeyd etmək olar. Bu işlər tibb radiologiyasında Bor Neytron Tutma Terapiyası (BNCT) kimi radioterapiyanın yeni bir sahəsinə öncüllük etmişdir.

FP7 IRSES çərçivəsində yaratdığı, müxtəlif ölkələrin: İngiltərə, Almaniya, Çexiya, Slovakiya, Belarus alimlərini bir araya gətirən və müasir genetik metodlardan, proteomikadan və molekulyar biologiyadan istifadə etməklə Çernobıl zonasında xroniki şüalanmaya qarşı bitkilərin dözümlülüyünə dair aparıcı məlumatları əldə etməyə imkan verən kollektiv tədqiqatı nəticələrini göstərmək olar.

Praktiki təklif:

     Gen dəyişmiş və hüceyrələrin klonlaşma üsulu ilə alınan bitkiləri abiotitik stress faktorlara dözümlülük göstərə bilməsini praktiki istifadə etmək olar.

Elmi əsərlərinin adları:

1. Kryvokhyzha M., Litvinov S., Danchenko M., Khudolieieva L., Kutsokon N., Baráth P., Rashydov N. (2024) How does ionizing radiation affect amyloidogenesis in plants? International Journal of Radiation Biology (accepted in press)
2. Kutsokon N., Rakhmetov D., Rakhmetova S., Khudolieieva L., Rashydov N. (2022) Nursery screening of poplar and willow clones for biofuel application in Ukraine. iForest: Biogeosciences and Forestry, 15(5):401-410. https://doi.org/10.3832/ifor3732-015
3. Khoma Y., Khudolieieva L., Rashydov N., Kutsokon N. (2022) In vitro culture initiation and regeneration of two highly productive clones of poplar. Nova Biotechnologica et Chimica, 21(1):e1089. doi: 10.36547/nbc.1089.
4. Khoma Y.A., Nesterenko O.G., Kutsokon N.K., Khudolieieva L.V., Shevchenko V.V., Rashydov N.M. (2021). Proline content in the leaves of poplar and willow under water deficit. Regulatory Mechanisms in Biosystems, 12(3):519-522. https://doi.org/10.15421/022171
5. Pernis, M., Skultety, L., Shevchenko, V., Klubicova, K., Rashydov, N., Danchenko, M. Soybean recovery from stress imposed by multigenerational growth in contaminated Chernobyl environment. J. Plant Physiol. Available online 10 June 2020. https://doi.org/10.1016/j.jplph.2020.153219.
6. Kutsokon, N., Danchenko, M., Skultety, L., Kleman, J., Rashydov N. Transformation of hybrid black poplar with selective and reporter genes affects leaf proteome, yet without indication of a considerable environmental hazard. Acta Physiol Plant, 2020, 42, 86. https://doi.org/10.1007/s11738-020-03072-6
7. Kryvokhyzha, M.V., Krutovsky, K.V., Rashydov, N.M. Differential expression of flowering genes in Arabidopsis thaliana under chronic and acute ionizing radiation. Int. J. Radiat. Biol., 2019, 95, 626–634. https://doi.org/10.1080/09553002.2019.1562251
8. Georgieva, M., Rashydov, N.M., Hajduch, M. DNA damage, repair monitoring and epigenetic DNA methylation changes in seedlings of Chernobyl soybeans. DNA Repair, 2017, 50, 14–21. https://doi.org/10.1016/j.dnarep.2016.12.002
9. Gábrišová, D., Klubicová, K., Danchenko, M., Gömöry, D., Berezhna, V. V., Skultety, L., Miernyk, J. A., Rashydov, N., Hajduch, M. Do cupins have a function beyond being seed storage proteins? Frontiers in Plant Science, 2016, 6, 1215. https://doi.org/10.3389/fpls.2015.01215
10. Rashydov, N.M., Hajduch, M. Chernobyl seed project. Advances in the identification of differentially abundant proteins in a radio-contaminated environment. Front. Plant Sci. 2015, 6. https://doi.org/10.3389/fpls.2015.00493
11. Klubicová K, Danchenko M, Skultety L, Berezhna VV, Rashydov NM, Hajduch M. Radioactive Chernobyl environment has produced high-oil flax seeds that show proteome alterations related to carbon metabolism during seed development. J Proteome Res. 2013, 12 (11), 4799-4806. https://doi.org/10.1021/pr400528m
12. Klubicová K, Danchenko M, Skultety L, Berezhna VV, Uvackova L, Rashydov NM, Hajduch M. Soybeans grown in the Chernobyl area produce fertile seeds that have increased heavy metal resistance and modified carbon metabolism. PLoS ONE 2012, 7(10), e48169. https://doi.org/10.1371/journal.pone.0048169
13. Klubicová K, Vesel M, Rashydov N., Hajduch M. (2012) Seeds in Chernobyl: the database on proteome response on radioactive environment. Frontiers in Plant Science. 3:231. doi:10.3389/fpls.2012.00231
14. Klubicová, K., Berčák M., Danchenko M., Škultéty L., Rashydov N.M, Berezhna V.V., Miernyk J.A., Hajduch M. Agricultural recovery of a formerly radioactive area: I. Establishment of high-resolution quantitative protein map of mature flax seeds harvested from the remediated Chernobyl area. Phytochemistry, 2011, 72 10, 1308-1315. https://doi.org/10.1016/j.phytochem.2010.11.010
15. Klubicová K, Danchenko M, Skultety L, Berezhna V.V., Hricová A., Rashydov N.M., Hajduch M. Agricultural recovery of a formerly radioactive area: II. Systematic proteomic characterization of flax seed development in the remediated Chernobyl area. J Proteomics. 2011, 74 (8), 1378-1384. https://doi.org/10.1016/j.jprot.2011.02.029
16. Klubicová K, Danchenko M, Skultety L, Miernyk, J.A., Rashydov N.M., Berezhna V.V., Pret'ová A., Hajduch M. Proteomics analysis of flax grown in Chernobyl area suggests limited effect of contaminated environment on seed proteome. Environ Sci Technol. 2010, 44(18), 6940-6946. https://doi.org/ 10.1021/es100895s
17. Danchenko M, Skultety L, Rashydov NM, Berezhna V, Matel L, Salaj T, Pretova A, Hajduch M. Proteomic analysis of mature soybean seeds from the Chernobyl area suggests plant adaptation to the contaminated environment. J Proteome Res. 2009, 8(6), 2915-2922. https://doi.org/10.1021/pr900034u

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:

• Ukrayna Radiobiologiya Cəmiyyətinin başcısı
• Ukraynanın Əhalinin Radiasiyadan Qorunma Komitəsinin üzvü
• Sitologiya və Genetika (Ukrayna), Radiasiya Tədqiqatları (Azərbaycan) və İkincidərəcəli Metabolitlər (Türkiyə) elmi jurnalların redaksiya heyətinin üzvü

Pedaqoji fəaliyyəti:

Kiyev Milli Dövlət Universitenində mühazirəçi

Digər fəaliyyəti:

Elmi rəhbər - 2 doktorant

Təltif və mükafatları:

Slovakiya Elmlər Akademiyasının və Milli Ukrayna Elmlər Akademiyalarının fəxri fərmanları

https://www.eap-plus.eu/object/news/276.1.html

İş yeri və ünvanı:

AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası

Vəzifəsi: Laboratoriya rəhbəri

Xidməti tel.: (+994 12) 5383224

Mobil tel.: (+994 55) 2015736, (+38099) 5591365 (WhatsApp, Viber)

Elektron poçtu: nrashydov@yahoo.com, namik.rashid@gmail.com

Anadan olduğu yer: Azərbaycan Respublikası, Bakı ş.

Təvəllüdü: 08.01.1949

Təhsili: Azərbaycan Dövlət Universiteti, fizika

Elmi dərəcəsi: Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Professor

Namizədlik dissertasiyasının ixtisas şifri, ixtisasın adı və mövzusu:
01.04.10 – "Yarımkeçiricilər və dielektriklər"
TlSe və onun üç qat bərk məhlulların rəksi spektirlərinin optik spektroskopiya metodu ilə tədqiqi

Doktorluq dissertasiyasının ixtisas şifri, ixtisasın adı və mövzusu:
01.04.10 – "Yarımkeçiricilər və dielektriklər"
A³B⁶ və A³B³C⁶₂ tipli birləşmələrin qəfəs dinamikası

Çapdan çıxmış elmi əsərlərin ümumi sayı: 261

Xaricdə çıxmış elmi əsərlərin sayı: 57

Beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 57

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı: 8

Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı: 10
- elmlər doktorlarının sayı: 2

Əsas elmi nailiyyətləri:
Rezonans və anharmonik qarşılıqlı əlaqənin, anizotropiyanın və qəfəs ardıcıllığının pozulmasının fonon spektrlərində qanuna uyğunluqları təyin edilmişdir. A³B⁶ və A³B³C⁶₂ tipli birləşmələrin qəfəsinin temperatur qeyri stabilliyinin tədqiqatları faza keçidlərin mövcudluğu aşkar edilmiş və hərtərəfli tədqiq edilmişdir. Birinci dəfə olaraq təyin edilmişdir ki, faza keçidləri ifrat strukturlu inkommensurate temperatur oblastları ilə müşahidə olunur. Tədqiq olunan obyektlərin qəfəs dinamikasını xüsusiyyətlərindən tam və dolğun informasiya əldə etmək ötrü Raman, infraqırmızı və neytron spektroskopiya üzrə eksperimentlər aparılmışdır. Sərdarlı R.M. bundan sonrakı elmi fəaliyyəti qamma şüaların və Yan-Teylor tipli aşkarların A³B⁶ və A³B³C⁶₂ birləşmələrin energetik spektrə təsirini öyrənməkdən ibarət idi. Bu tədqiqatların nəticəsi kimi, təyin edilmişdir ki, bəzi şərtlər çərçivəsində, laylı və zəncirvarı quruluşlu kristallar aşağı ölçülü sistemlərin kimi özlərini göstərir. Belə ki, bu birləşmələrdə relaksor tipli temperatur asılılığı, dielektrik əmsalının mənfi qiymətləri, kvant nöqtələrinə xas olan energetik spektr, mezoskopik ifrat strukturlar, terahertz oblastında güclü udma zolaqları və sairə xüsusiyyətlər müşahidə edilmişdir.

Elmi əsərlərinin adları:
1. Sardarly R.M. “Vibration spectrum of the A³B³ and A³B³C⁶₂ compounds” Baku, “ELM”, 2004, p. 225
2. Sardarli R.M., Samedov O.A., Sadigov I.Sh. Relaxor properties of TlInS₂ composites with nanodomain state. Ferroelectrics, 2004, v.298, p.275-281.
3. Sardarli R.M., Samedov O.A., Sadigov I.Sh. TlInS₂, doped by Cr and Mn – new relaxor ferroelectrics. FTT, Solid State Physics (Physica Tverdovo Tela), 2004, v.46, N.10, p.1852-1855.
4. Sardarli R.M., Samedov O.A., Sadigov I.Sh. Relaxor behavior of Ge-doped TlInS₂. Inorganic materials (Neorganicheskie materiali), 2004, v.40, N.10, p.1018-1022.
5. Sardarli R.M., Samedov O.A., Sadigov I.Sh., Najafov A.I., Salmanov F.T. Relaxor properties and conductivity mechanism of γ-radiated TlInS₂ crystals. FTT, Solid State Physics (Physica Tverdovo Tela), 2005, v.47, N.9, p.1665-1669.
6. Sardarly R.M., Mamedov N.T., Wakita K., Shim Y., Nadjafov A.I., Samedov O.A., Zeynalova E.A. Dielectric properties, conduction mechanism, and possibility of nanodomain state with quantum dot formation in impurity-doped gamma-irradiated incommensurate TlInS₂. Phys.Stat.Sol. (a) 203, No.11, (2006), 2845-2851.
7. Nadjafov A.I., Guseynov G.G., Alekperov O.Z., Sardarly R.M., Abdullaev A.P., Eyubova N.A. Electrophysical properties and polymorphic modification TlSe. Crystallography 2008, v.53, N 5, p. 864-868.
8. Sardarly R.M., Samedov O.A., Abdullayev A.P., Bayramov A.A. Features of conductivity anisotropy of intercalated nanodimensional relaxor TlInS₂. Journal ”Scientific Israel-Technological Advantages” Material Engineering v.11, no.1, 2009. p.99-105.
9. Sardarly R.M., Samedov O.A., Abdullayev A.P., Huseynov E.K., Salmanov F.T. “Specific Features of Conductivity of γ–Irradiated TlGaTe₂ Crystals with Nanochain Structure” Semiconductors 44, 485 (2010).
10. A.M. Panich and R.M. Sardarly, “Physical properties of the low dimensional A³B³ and A³B³C⁶₂ compounds,” Nova Science Publishers, New York (2010), p. 287.
11. Sardarly R.M., Samedov O.A., Abdullayev A.P., Salmanov F.T. “Giant dielectric relaxation in TlGaTe₂ crystals”. FTT, Solid State Physics (Physica Tverdovo Tela), v.53, N.8, p.1488-1492 (2011).
12. Sardarly R.M., Samedov O.A., Abdullayev A.P., Huseynov E.K., E.M. Godjaev, Salmanov F.T. “Superion conductivity in TlGaTe₂ crystals”. FTP, (Physica i Technica Poluprovodnicov), Semiconductors 45, 1009-1013 (2011).
13. Rauf Sardarly, Oktay Samedov, Adil Abdullayev, Famin Salmanov, Andzey Urbanovic, Frideric Garet, Jean-Louis Coutaz “Superionic Conductivity in One-Dimensional Nanofibrous TlGaTe₂ Crystals” Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011).
14. Sardarly R.M., Samedov O.A., Abdullayev A.P., Salmanov F.T., Alekperov O.Z.,Huseynov E.K., Aliyeva N.A. “Superionic Conductivity, Switching and Memory Effects in TlInSe₂ and TlInTe₂ Crystals” FTP, (Physica i Technica Poluprovodnicov), Semiconductors 45, No.11, 1387-1390 (2011).
15. Panich A.M., Mogilyansky D., Sardarly R.M. “Phase transitions and incommensurability in the layered semiconductor TlInS₂ – an NMR study” J. Phys.: Condensed Matter 24 (2012), 135901.
16. Sardarly R.M., Samedov O.A., Aliyeva N.A., Agayeva R.Sh., Musa-zade T.N. "Superionic Conductivity and Specific Effects Induced by γ-Radiation in Nanofibrous TlGaTe₂ сrystals" International Journal of Theoretical and Applied Nanotechnology, 2012, v.1, n.1, p. 20-28.
17. Sardarly R.M., Samedov O.A., Abdullayev A.P., Huseynov E.K., Salmanov F.T., Aliyeva N.A., Agayeva R.Sh. “Ionic conductivity and dielectric relaxation in γ-irradiated TlGaTe₂ crystals”. FTP, (Physica i Technica Poluprovodnicov), Semiconductors 47, No.5, 696-701 (2013).
18. Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Алиева Н.А., Гусейнов Э.К., Гасанов И.С. Поляризация, вызванная объемными зарядами и ионная проводимость в кристаллах TlInSе₂. ФТП, 2014, том.48, вып.4, стр.442-447.
19. Arif Pashaev, Arif Badalov, Rauf Sardarly, Oktay Samedov, Nurana Alieva, Rayiha Agayeva, Aygun Orujova, Arzu Sardarli Prospective Application of A3B3C62 Type Semiconductors for Developing Nano-size Electronic Devices International Journal of Theoretical and Applied Nanotechnology, 2014, v.2, n.1, 9-17.
20. Sardarly R.M. “Metrology, standardization, certification and quality control”, (Dərslik, «Azərbaycan Hava Yolları», Milli Aviasiya Akademiyasının Poliqrafiya Mərkəzi) Baku, 2014, 111 s.
21. Panich A.M., Sardarly R.M. “205Tl NMR Study of Electron-Nuclear Interactions and Phase Transition in the Semiconductor TlGaTe₂” J. Phys.: Condens. Matter: JPCM-101859.
22. R. M. Sardarly, F. Garet, M. Bernier and J.-L. Coutaz Chapter 18, “Characterization of Selenide, Sulfide and Telluride Materials by Terahertz Time-Domain Spectroscopy”. Series: NATO Science for Peace and Security Series B: Detection of Explosives and CBRN (Using Terahertz). Springer book. 2014, 257 p.

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:
IEEE member NO: 90600162

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., B.Vahabzadə küç.,9

Vəzifəsi: Laboratoriya rəhbəri

Xidməti tel: (+994 12) 5383224
Mobil tel: (+994 50) 5476705
Ev tel: (+994 12) 4326934

E-mail: sardarli@yahoo.com

Anadan olduğu yer: Azərbaycan Respublikası, Lerik rayonu, Şingədulan kəndi

Təvəllüdü: 13.07.1983

Təhsili: Bakı Dövlət Universiteti, Fizika fakultəsi

Elmi dərəcəsi: Fizika elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Dosent

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri:2225.01
- ixtisasın adı: Radiasiya materialşünaslığı
- mövzunun adı: Bor əsaslı birləşmələrin struktur çevrilmələrinə və termofiziki xassələrinə ağır ion, neytron və ionlaşdırıcı şüaların təsiri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı: 105
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 74
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı: 74

Əsas elmi nailiyyətləri:
1) 1 MeV enerjili sürətli neytron seli B₂O₃ kristallarının aktiv səthi tərəfindən tutulan su molekulları ilə qarşılıqlı təsiri nəticəsində sərbəst OH funksional qrupları yaradır. Neytron selinin maksimum 1.0×10¹⁵ n/sm² qiymətində B-OH hidroksid qrupları B₂O₃ kristallarının səthində anion və kation halda mövcuddur, neytron selinin qiymətindən asılı olmayaraq kristalın səthində formalaşan və yeni qrupların qüvvə sabitləri B-O rabitəsi üçün 24.2-126.0 N/kq, B-OH qarşılıqlı təsiri üçün 67.2-376.1 N/kq və sərbəst OH qrupları üçün 75.4-125.8 N/kq müəyyən edilmişdir.
2) Sürətli neytron selinin təsiri altında B₂O₃ kristallarında B-O kimyəvi rabitələrin qırılması hesabına lokal amorflaşma prosesi baş verir və kristallik ölçünün qiymətində 90 nm-dən 138 nm-ə qədər artma aşkar olunmuşdur.
3) 4.0×10¹² n/sm², 8.0×10¹² n/sm², 1.3×10¹³ n/sm² 4.0×10¹⁴ n/sm² və 1.0×10¹⁵ n/sm² neytron seli ilə şüalanmadan sonra 100≤T≤800 K temperatur intervalında B₂O₃ kristalında müşahidə olunan dublet effektlərin enerjisi 376 C/q, B₂O₃↔ НВО₂↔B(OH)₃ mexanizmilə baş verən faza keçidinin enerjisi 265 C/q təyin olunmuşdur. Müəyyən olunmuşdur ki, 100≤T≤800 K temperatur intervalında şüalanmamış B2O3 kristal üçün entalpiyanın qiyməti 118.095 C/q, müxtəlif neytron seli ilə şüalandırdıqda entolpiyanın qiyməti 201.028 C/q qədər artır.
4) Müxtəlif intensivlikli neytron seli ilə şüalandırılmış bor nitrid kristalında 300≤T≤1300 K temperatur intervalında Viqner enerjisinin qiymətləri 95.8 C/q, 93.89 C/q və 1002 K-də 94.49 C/q müəyyən olunmuşdur. 1.0×10¹⁵ n/sm² neytron selində bor nitrid kristalında mərkəzi piki 969 K-də formalaşan effektin enerji üçün 373.609 C/q müəyyən edilmişdir.
5) Elektron selinin intensivliyindən asılı olaraq B₄C və B₆Si kristalları üçün xüsusi istilik tutumunun qiyməti temperaturun aşağı və yüksək oblastında müəyyən olunmuş və riyazi tənlikləri alınmışdır. 120 K-də B₄C kristalında istilik keçiriciliyinin qiyməti 0.0247 Vt/sm×K, maksimum elektron selində şüalanmadan sonra istilik keçiriciliyinin qiymət 0.0240 Vt/sm×K, B₆Si kristalının 120 K-də istilik keçiricilyinin qiyməti 0.0175 Vt/sm×K, 1.03×1018 sm² elektron selində 0.009 Vt/sm×K təyin olunmuşdur. B₄C kristalının termik diffuziyası 100-300 K temperatur aralığında 0.791-0.806 sm²/san, elektron selindən asılı olaraq 0.808 sm2/san qədər artır. B6Si kristalları üçün göstərilən temperatur aralığında termik difuziyyanın qiymətinin 0.591 sm²/san müəyyən olunmuşdur.
6) 167 MeV enerjili sürətli ağır ¹³²Xe²⁶⁺ ionlarının təsiri altında B₂O₃, B₄C, B₆Si və BN kristallarının səth morfologiyasında nano ölçülü iynə formalı deşiklərin formalaşması müşahidə olunmuş və deşiklərin ölçüləri 18-20 nm aralığında dəyişməsi müəyyən olunmuşdur. Kristalların səthində qabarmaların qarşılqlı birləşməsi və böyümə sürəti təyin olunmuşdur. Ağır ionlarla şüalanmış kristallarda qabarmaların ölçüsü şüalanmamış kristallardan 2.2 dəfə böyük olması aşkar olunmuşdur. Ağır ionların B4C hədəf kristalı ilə qarşılqlı təsiri zamanı elektron-fonon əmsalının qiyməti 8.1×10¹² Vt/(sm³×K), elektron-fanon qarşılqlı təsirin istilik sahəsi 4.05×10¹² Vt/(sm³×K), radial enerji paylanma parametri 2.8 nm olması müəyyən olunmuşdur.
7) 167 MeV enerjili sürətli ağır ¹³²Xe²⁶⁺ ionlarla şüalandırılmış BN və B₂O₃ kristallarında 100≤T≤300 K temperatur aralığında xüsusi istilik tutumunun qiyməti 0.0053 C/K×q, həmin temperatu aralığında B4C kristalı üçün xüsusi istilik tutumunun qiyməti BN və B₂O₃ kristallarının qiymətindən 3.59 dəfə və B6Si kristalı üçün 4.42 dəfə çox olması müəyyən edilmişdir.
8) 167 MeV enerjili sürətli ağır ¹³²Xe²⁶⁺ ionları ilə şüalandırılmış B₄C kristalında 100≤T≤300 K temperatur intervalında termodiffuziyanın qiyməti 1.19 dəfə, B6Si kristalında 1.45 dəfə artır. 167 MeV enerjili ¹³²Xe²⁶⁺ ionları şüalanmadan sonra B₂O₃ kristalında 100≤T≤700 K temperatur intervalında istilik tutumu və termodinamik funksiyalar zəyif sürətlə artma qanunauyğunluquna tabe olduğu müəyyən olunmuşdur.
9) Müxtəlif udulma dozalı qamma-kvantlarla şüalandırılmış B₄C, B₆Si və BN kristallarının səth morfologiyasında 15-22 nm ölçülü lokal amorflaşma izləri müəyyən olunmuşdur. Kimyəvi tərkibin elementə görə xəritələnmə analizi əsasında qamma-kvantlarla şüalandırılmış B₄C, B₆Si və BN kristallarında B, C, Si, və N atomlarının qeyri bircins paylanması və 1.4% oksigenin olması aşkar edilmişdir.
10) Bor karbid kristalının udulma spektrlərində aktivləşmə enerjisi 1.89 eV olan F, enerjisi 0.1 eV olan iki M rəng mərkəzləri aşkar edilmişdir. Qamma şüalanma dozasının artması ilə yeni F+ rəng mərkəzlərinin formalaşması müəyyən olunmuşdur. Qamma kvantlarla şüalanmış B₄C və B₆Si kristallarında oksidləşmənin kritik temperaturu 970 °C, yüksək temperaturlarda kristalların səthində maye B₂O₃ təbəqəsinin və SiO₂ amorf kristallarının formalaşması müəyyən olunmuşdur. Şüalanmamış kristallarda oksidləşmə dərəcəsi 3.5 %, şüalandırılmış kristallarda 8.2 % qədər artır. Səthdə yaran oksidləşmə dərinliyi şüalanmanın udulma dozası və temperaturdan asılı olaraq 60 nm olması müəyyən olunmuşdur.

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, B.Vahabzadə küç., 9, Bakı şəhəri, Azərbaycan Respublikası

Vəzifəsi: Aparıcı elmi işçi

Tel.: (+994 12) 5393391
Elektron poçtu: matlabmirzayev@mail.ru

Anadan olduğu yer: Erm.SSR, Sisian r-nu, Ağudi k.

Təvəllüdü: 06.06.1960

Təhsili: Azərbaycan (Bakı) Dövlət Universiteti

Elmi dərəcəsi: Fizika elmləri doktoru

Elmi rütbəsi: Dosent

Namizədlik dissertasiyasının ixtisas şifri, ixtisasın adı və mövzusu:
- ixtisas şifri: 01.04.10
- ixtisasın adı: Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası
- mövzunun adı: Ge-Si bərk məhlulların (Ge_1-xSi_ix:H) elektrofiziki və optik xassələri

Doktorluq dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri: 2211.01
- ixtisasın adı: Bərk cisim fizikas
- mövzunun adı: Silisium-germanium əsasında hidrogenləşmiş nazik təbəqələrdə elektron, optik proseslər və onların tətbiq perspektivləri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı: 105
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı: 71
- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan - məqalələrin sayı: 24

Əsas elmi nailiyyətləri:
- Aşağı temperaturlarda sıçrama mexanizmi öyrənilmişdir.
- Sıçrama enerjisi, sıçrama məsafəsi, lokallaşmış halda dalğa funksiyası və hal sıxlığı silisium birləşmələri üçün müəyyən edilmlşdir.
- Silisium birləşmələrində hydrogen atomunun konsentrasiyası müəyyən etmək üçün düstur verilmlşdir.
- Çox qatlı günəş elementlərinin hazırlanması üçün struktur verilmişdir.

Elmi əsərlərinin adları:
1. Najafov B.A, Bakirov M.Y, Mamedov V.S. and Andreev A.A. Optical properties of amorphous hydrogenated amorphous a-Si_0,90Ge_0,10:H_x. // Phys. Stat. Solids, 1991, K 119-127.
2. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge_0,90Si_0,10:H_х. // Физ. и Техн. Полупроводников, т. 34, в.11, 2000, c. 1383-1385.
3. Najafov B.A. Absorption, photoconductivity and current-voltage characteristics of amorphous Ge_0,90Siо,10:H solid solutions. // Укр. Физ. журн., 2000, т. 45, №10, c. 1221-1224.
4. Наджафов Б.А., Исаков Г.И., Фигаров В.Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора a-Ge_0,85Si_0,15:H. // Прикладная физика, 2004, № 4, с. 107-114.
5. Наджафов Б.А. ЭПР и ИК спектры поглошения аморфных пленок a-Si_i-хGe_x:H. // AMEA-nın Xəbərləri, 2005, № 2, c. 139-144.
6. Наджафов Б.А. Солнечные преобразователи на основе а-Si_0,80Ge_0,20:Hх. // Прикладная физика, 2005, с.97-102.
7. Najafov B.A. Solar cells based on a-Si_0,80Ge_0,20:H amorphous films. // Укр. Физ. журн., 2005, т. 50, № 5, р. 477-482.
8. Najafov B.A. and Isakov G.I. Electrical properties of amorphous Si_0,60Ge_0,40:H_x // Inorganic Materials, 2005, №7, vol. 41, p. 787-791.
9. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si_1-xGe_x:H c различной концентрацией водорода. // Журнал прикладной спектроскопии, 2005, т.72, № 3, c. 371-376.
10. Najafov B.A. Photovoltaic effects in a–Si_0,80Ge_0,10:H_x // Letters in International Journal for Alternativ Energy and Ecology, 2005, № 1, p. 36-38.
11. Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Получение пленок а-Si_1-хGe_х:H, изменение ее параметров от состава. // ISIAEE Solar Energy, 2006, № 4, (36), p. 51-55.
12. Фиговский О.А., Наджафов Б.А., Исаков Г.И. Рост нанокристаллических структур аморфно гидрированных пленок кремния (а-Si:H). // Вестник Дома Ученых Хайфы, Специальный выпуск, Хайфа, 2008, с.14-23.
13. Najafov B.A. and Isakov G.I. Properties of аmorphous Si_i-xGe_x:H (x=0-1) films. // Inorganic Materials, 2009, vol. 45, № 7. p. 713-718.
14. Najafov В.А., Fiqarov V.R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon. // International Journal of Hydrogen Energy, 35, 2010, р. 4361-4367.
15. Najafov B.A. and Isakov G.I. Optical and Electrical Properties of аmorphous Si_1-xC_x:H films. // Inorganic Materials, 2010, №,6, vol. 46, p. 624-630.

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü:
Rusiya Təbiyyətşünaslıq Akademiyasının Müxbir Üzvi

Təltif və mükafatları:
1. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Rusiyanın Qızıl kafedrası” Diplomu
2. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Labore Et Scientia – Bilik və Əməklə” Ordeni
3. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Primus Inter Pares – Bərabər olanların arasında Birinci” Ordeni
4. Rusiya Təbiətşünaslıq Akademiyasının “Elm və Təhsil əməkdar xadimi”

İş yeri və ünvanı:
AR Elm və Təhsil Nazirliyinin Radiasiya Problemləri İnstitutu, AZ1143, Azərbaycan Respublikası, Bakı ş., B.Vahabzadə küç., 9

Vəzifəsi: Baş elmi işçi

Xidməti tel.: (+994 12) 5383224
Mobil tel.: (+994 50) 3998966
Ev tel.: (+994 12) 4771866
Elektron poçtu: bnajafov@rambler.ru